Microchip Jantx2N5415

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N5415

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Risk Rank

1.69

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Schedule B

8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/85

RoHS

Non-Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

750 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

200 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N5415

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/485

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

750 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

Qualified

极性

PNP

配置

SINGLE

功率耗散

750 mW

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

750 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

200 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

200 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

200 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无