Microchip JANTX2N5582

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-46-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

Honeywell-Microswitch

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N5582

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

800 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Manufacturer Part Number

JANTX2N5582

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Risk Rank

4.6

Part Package Code

TO-46

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/423

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/423

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-46

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

最大耗散功率(Abs)

2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

800

集电极-发射器电压-最大值

50 V