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'jantx2n5666'

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category.单相BJT晶体管 (9)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	生命周期状态	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料								Collector-Emitter Saturation Voltage																									厂商																																	操作温度	包装	已出版	系列	尺寸/尺寸	容差	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	温度系数	类型	电阻	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	组成	功率(瓦特)	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	参考标准	JESD-30代码	资历状况	失败率	极性	配置	功率耗散	箱体转运	输出功率	功率 - 最大	晶体管应用	极性/通道类型	产品类别	晶体管类型	集电极发射器电压(VCEO)	最大集电极电流	最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce	最大集极截止电流	JEDEC-95代码	不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	频率转换	集电极基极电压(VCBO)	最大耗散功率(Abs)	发射极基极电压 (VEBO)	集电极电流-最大值(IC)	最小直流增益（hFE）	连续集电极电流	集电极-发射器电压-最大值	特征	产品类别	直径	座位高度(最大)	辐射硬化	RoHS状态	无铅
		JANTX2N5666	Unitrode	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
		JANTX2N5666	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		20 Weeks	IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)	Lead, Tin	通孔	TO-5	3			1.2W	1								Bulk	2007				e0	no	活跃		3	EAR99				Tin/Lead (Sn/Pb)	200°C	-65°C						BOTTOM	WIRE					O-MBFM-P2	Qualified		NPN	SINGLE	1.2W	COLLECTOR			SWITCHING				200V	5A							250V		6V		40							无	Non-RoHS Compliant	含铅
		JANTX2N5666	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can	NO	3	TO-5	3	SILICON	400 mV	25 at 1 A, 5 VDC	0.484841 oz	- 65 C	1	通孔	-	Microchip	Microchip / Microsemi	5 A	75 at 1 A, 5 VDC	N	200 V	CYLINDRICAL, O-MBFM-P2	CYLINDRICAL	微芯片技术	METAL	未说明	200 °C	无	JANTX2N5666	ROUND	活跃	MICROSEMI CORP	1.42	TO-5						NPN	Bulk	5 A	2N5666	活跃	6(V)	TO-5	250(V)	双极电源	-65C to 200C	5(A)	1	5	通孔	6 V	1.2 W	+ 200 C	-65°C ~ 200°C (TJ)	Bag		Military, MIL-PRF-19500/455			e0	无				EAR99				Tin/Lead (Sn/Pb)					8541.29.00.95	Transistors	Si	BOTTOM	WIRE	未说明	compliant		MIL-19500/455E	O-MBFM-P2	Qualified			Single	2.5	COLLECTOR	Not Required(W)	1.2 W	SWITCHING	NPN	BJTs - Bipolar Transistors	NPN			40 @ 1A, 5V	200nA	TO-5	1V @ 1A, 5A	200 V	-	250 V			5 A	40	5	200 V		Bipolar Transistors - BJT
		JANTX2N5666	Aeroflex	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		3	Si						不合规	EAR99	无	无	双极电源	1	250		200	6	1.5@1A@5A\|[email protected]@3A	1@1A@5A\|[email protected]@3A	5	5@5A@5V\|[email protected]@2V\|40@1A@5V\|15@3A@5V	1200	-65	200	Military	通孔	6.6(Max)	3	TO-205-AA	TO-5	通孔								Bag							活跃					NPN																				Single																										9.4(Max)
		JANTX2N5666	Semicoa	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1										Compliant																					27.4 kΩ
		JANTX2N5666S	Microsemi Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		20 Weeks	Lead, Tin	通孔	通孔	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	3	SILICON					1.2W	1				-65°C~200°C TJ	Bulk	2007	Military, MIL-PRF-19500/455			e0	no	Discontinued	1 (Unlimited)	2	EAR99				Tin/Lead (Sn/Pb)								BOTTOM	PIN/PEG	未说明		未说明		O-MBFM-P2	Qualified			SINGLE	1.2W	COLLECTOR			SWITCHING	NPN		NPN	200V	5A	40 @ 1A 5V	200nA	TO-5	1V @ 5A, 1A			250V		6V										Non-RoHS Compliant
		JANTX2N5666S	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		Production (Last Updated: 2 months ago)	Lead, Tin	通孔	通孔	Axial	NO	3	Axial	3	SILICON	微芯片技术			1.2 W	1	Non-Compliant	Bulk	5 A	2N5666	Discontinued at Digi-Key		CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL	METAL	未说明	200 °C	有	JANTX2N5666S	ROUND	Semicoa Semiconductors	接触制造商	SEMICOA CORP	5.04	-65°C ~ 175°C	Bulk		Military, MIL-R-10509/7, RN55	0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm)	±1%			活跃		2	EAR99	±25ppm/°C		69.8 Ohms		200 °C	-65 °C	Metal Film	0.125W, 1/8W	8541.29.00.95	其他晶体管		BOTTOM	WIRE	未说明	compliant		MIL-19500/455	O-MBCY-W3	Qualified	--	NPN	SINGLE	1.2 W	COLLECTOR		1.2 W	SWITCHING	NPN		NPN	200 V	5 A	40 @ 1A, 5V	200nA		1V @ 1A, 5A	200 V	-	250 V	15 W	6 V	5 A	5		200 V	Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety			--
		JANTX2N5666S	Aeroflex	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		3	Si						不合规	EAR99	无	无	双极电源	1	250		200	6	1.5@1A@5A\|[email protected]@3A	1@1A@5A\|[email protected]@3A	5	5@5A@5V\|[email protected]@2V\|40@1A@5V\|15@3A@5V	1200	-65	200	Military	通孔	6.6(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔								Bag							活跃					NPN																				Single																										9.4(Max)
		JANTX2N5666U3	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-276AA	U-3 (TO-276AA)	KYOCERA AVX									Tape & Reel (TR)	148261	Obsolete	5 A	1	Microchip	Microchip / Microsemi		N		-65°C ~ 200°C (TJ)			*																		Transistors	Si															1.2 W			BJTs - Bipolar Transistors	NPN			40 @ 1A, 5V	200nA		1V @ 1A, 5A	200 V	-									Bipolar Transistors - BJT