Microchip Jantx2N6211

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

Package

Bulk

Base Product Number

001096

厂商

Molex

Product Status

活跃

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

35 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

4

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

2 A

Maximum Operating Frequency

5 MHz

Maximum Collector Cut-off Current

15 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

225 V

系列

*

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

3 W

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

3 W

功率 - 最大

3 W

产品类别

达林顿晶体管

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

225 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

5mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.4V @ 125mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

225 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

275 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

连续集电极电流

2 A

产品类别

达林顿晶体管

辐射硬化

无