Microchip Jantx2N6213

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N6213

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-66

Package Description

TO-66, 2 PIN

Risk Rank

5.21

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

20 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

35 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

4

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

2 A

Maximum Operating Frequency

5 MHz

Maximum Collector Cut-off Current

15 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

350 V

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/461

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/461E

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

3 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

达林顿晶体管

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

5mA

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 125mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

400 V

最大耗散功率(Abs)

20 W

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

2 A

集电极-发射器电压-最大值

350 V

产品类别

达林顿晶体管