Microchip JANTX2N6274

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

Miscellaneous

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-3

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

120(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

50(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

50

Mounting

通孔

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Base Product Number

2N6274

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

250 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50

Collector-Emitter Saturation Voltage

3 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

120

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

Schedule B

8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/85

Package Description

TO-204AA, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Manufacturer Part Number

JANTX2N6274

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BFM

Risk Rank

1.45

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/514

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

250 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2 +Tab

参考标准

MIL

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

250(W)

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

250 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

50 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 20A, 4V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-204AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 10A, 50A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

120 V

最大耗散功率(Abs)

250 W

集电极电流-最大值(IC)

50 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

50 A

集电极-发射器电压-最大值

100 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无