Microchip JANTX2N6798U

表面安装

YES

底架

表面贴装

终端数量

15

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N6798U

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

CHIP CARRIER, R-CQCC-N15

Risk Rank

5.16

Drain Current-Max (ID)

5.5 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

CHIP CARRIER

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

RoHS

Non-Compliant

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

800 mW

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-19500/557

JESD-30代码

R-CQCC-N15

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

50 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5.5 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.46 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

98 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

最大rds

420 mΩ