Microchip JANTXV1N4150UR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AA

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANTXV1N4150UR-1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

COBHAM PLC

Package Description

O-LELF-R2

Risk Rank

5.71

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package

Bulk

Base Product Number

1N4150

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

系列

Military, MIL-PRF-19500/231

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.70

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

END

终端形式

环绕

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-19500/231

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

100 nA @ 50 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

正向电流

200 mA

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

输出电流-最大值

0.3 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

50 V

平均整流电流（Io）

200mA

正向电压

1 V

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

反向恢复时间

4

峰值反向电流

100 nA

最大重复反向电压(Vrrm)

50 V

JEDEC-95代码

DO-213AA

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

4 A

重复峰值反向电压

50

反向恢复时间-最大值

0.004 µs

反向恢复时间(trr)

4 ns

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

辐射硬化

无