JANTXV1N5187US详情
Microchip JANTXV1N5187US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
DO-41-2
底架
表面贴装
引脚数
2
Breakdown Voltage / V
20.9 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vesd - Voltage ESD Contact
30 kV
Unit Weight
0.011852 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5000
Ipp - Peak Pulse Current
14 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
400 W
Manufacturer
Panjit
Brand
Panjit
RoHS
Details
Vesd - Voltage ESD Air Gap
30 kV
包装
弹药包
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
终端样式
Axial
工作电压
18.8 V
极性
单向
通道数量
1 Channel
元素配置
Single
正向电流
3 A
箝位电压
30.6 V
正向电压
1.5 V
产品类别
TVS 二极管
反向恢复时间
200 ns
峰值反向电流
2 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
200 V
峰值非恢复性浪涌电流
80 A
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
辐射硬化
无
JANTXV1N5187US拓展信息
Microchip Technology
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