Microchip JANTXV1N5415US

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

D-5B

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Schedule B

8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

GLASS PACKAGE-2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV1N5415US

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.97

系列

Military, MIL-PRF-19500/411

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

快速恢复能力

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

END

终端形式

环绕

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/411L

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

1 µA @ 50 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 9 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

输出电流-最大值

3 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

50 V

平均整流电流（Io）

3A

最大反向电压（DC）

50 V

平均整流电流

3 A

相位的数量

1

反向恢复时间

150 ns

峰值反向电流

1 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

50 V

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

80 A

最大非代表Pk前进电流

80 A

反向恢复时间-最大值

0.15 µs

反向恢复时间(trr)

150 ns

辐射硬化

无