Microchip JANTXV1N5419US

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

供应商器件包装

D-5B

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANTXV1N5419US

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Part Package Code

MELF

Package Description

E-LELF-R2

Risk Rank

5.28

Forward Voltage-Max (VF)

1.5 V

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ELLIPTICAL

Package Style

长式

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

1N5419

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/411

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

GENERAL PURPOSE

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

E-LELF-R2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

1 µA @ 500 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 9 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

输出电流-最大值

3 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

500 V

平均整流电流（Io）

3A

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

500 V

电容@Vr, F

-

最大非代表Pk前进电流

80 A

反向电流-最大值

1 µA

反向恢复时间-最大值

0.25 µs

反向恢复时间(trr)

250 ns

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching