Microchip JANTXV1N5641A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

Axial

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

Axial

Package Type

DO-13

Operating Temp Range

-65C to 175C

Reverse Stand-off Voltage

18.8(V)

Peak Pulse Power Dissipation

1500(W)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Test Current (It)

1(mA)

Mounting

通孔

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Cd - Diode Capacitance

-

Breakdown Voltage / V

20.9 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

49 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Schedule B

8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±100ppm/°C

类型

Zener

电阻

5.49 kOhms

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

应用

通用型

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

引脚数量

2

终端样式

Axial

工作电压

18.8 V

失败率

M (1%)

极性

Uni-Directional

通道数量

1 Channel

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

20.9V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

49A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

30.6V

箝位电压

30.6(V)

电压 - 反向断态（典型值）

18.8V

峰值脉冲电流

49(A)

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

反向击穿电压

20.9(V)

最大泄漏电流

0.005(uA)

最小击穿电压

20.9 V

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

座位高度(最大)

--