Microchip JANTXV1N6475

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

G, Axial

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

ACH550-BDR-078A-4+F267+K454

Manufacturer

ABB

Schedule B

8541100080

Reverse Stand-off Voltage

40.3 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Base Product Number

1N6475

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-XALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Power Dissipation (Max)

3 W

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.45

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/552

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/552C

JESD-30代码

O-XALF-W2

资历状况

Qualified

极性

单向

配置

SINGLE

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

43.7V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

135A (8/20µs)

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

63.5V

箝位电压

63.5 V

电压 - 反向断态（典型值）

40.3V

峰值脉冲电流

135 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

40.3 V

电容@频率

-

反向击穿电压

43.7 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

43.7 V

最小击穿电压

43.7 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes