Microchip JANTXV2N2369A

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-206AA (TO-18)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTXV2N2369A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

1.63

Number of Elements

1

Turn-on Time-Max (ton)

12 ns

Turn-off Time-Max (toff)

18 ns

Transition Frequency-Nom (fT)

500 MHz

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

CYLINDRICAL

Package Shape

ROUND

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

200 °C

Transistor Polarity

NPN

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

2N2369

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/317

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/317K

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

360

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

360 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

400nA

JEDEC-95代码

TO-18

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

100

集电极-发射器电压-最大值

15 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT