Microchip JANTXV2N2369AUB

包装/外壳

4-SMD, No Lead

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Product Status

活跃

厂商

微芯片技术

Base Product Number

2N2369

Package

Bulk

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N2369AUB

Turn-on Time-Max (ton)

12 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

18 ns

Risk Rank

1.57

包装

Waffle

系列

Military, MIL-PRF-19500/317

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/317

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

360

功率 - 最大

400 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

400nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

20 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

1.4 W

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

100

集电极-发射器电压-最大值

20 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT