Microchip JANTXV2N2484

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 mA

Base Product Number

2N2484

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

360 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

200 at 10 uA, 5 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

50 mA

DC Current Gain hFE Max

500 at 10 uA, 5 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Schedule B

8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/376

包装

Bulk

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

360 mW

技术

Si

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

360 mW

功率 - 最大

360 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

225 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

2nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无