Microchip JANTXV2N2880

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

Stud

安装类型

Chassis, Stud Mount

包装/外壳

TO-210AA, TO-59-4, Stud

引脚数

3

供应商器件包装

TO-59

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N2880

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/315

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

2 W

技术

Si

极性

NPN

功率耗散

2 W

功率 - 最大

2 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

最大集极截止电流

20µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

110 V

发射极基极电压 (VEBO)

8 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无