Microchip JANTXV2N2907AUB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

2N2907

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

600 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3

Package Style

小概要

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N2907AUB

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

0.9

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/291

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

其他晶体管

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/291M

JESD-30代码

R-XDSO-N3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

500

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.4 W

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

600

集电极-发射器电压-最大值

60 V