Microchip JANTXV2N3019

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-5

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Unit Weight

6.411043 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3019

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/391

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

800 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

140 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT