Microchip JANTXV2N3418S

包装/外壳

Axial

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

活跃

厂商

Vishay Dale

Base Product Number

RNC55

Package

Bulk

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N3418S

Turn-on Time-Max (ton)

300 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1300 ns

Risk Rank

5.12

Part Package Code

BCY

系列

Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

操作温度

-65°C ~ 175°C

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

容差

±0.1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±50ppm/°C

电阻

49.9 Ohms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/393E

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

失败率

S (0.001%)

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A, 2V

最大集极截止电流

5µA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

60 V

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

-