Jantxv2N3585详情
Microchip Jantxv2N3585重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
供应商器件包装
TO-66 (TO-213AA)
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
JANTXV2N3585
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Package Code
TO-66
Package Description
TO-66, 2 PIN
Risk Rank
5.17
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
厂商
微芯片技术
Product Status
Discontinued at Digi-Key
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/384
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/384D
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
2.5 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 1A, 10V
最大集极截止电流
5mA
JEDEC-95代码
TO-66
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 125mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
300 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
25
集电极-发射器电压-最大值
300 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
Jantxv2N3585拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip
Microchip
Microchip








哦! 它是空的。