Microchip JANTXV2N3749

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

Axial

底架

Stud

安装类型

Chassis, Stud Mount

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

Axial

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N3749

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.25

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

操作温度

-65°C ~ 175°C

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

容差

±0.1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±50ppm/°C

电阻

48.7 Ohms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

2 W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/315

JESD-30代码

O-MUPM-X3

资历状况

Qualified

失败率

S (0.001%)

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

2 W

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

2 W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

最大集极截止电流

20µA

JEDEC-95代码

TO-59

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

110 V

发射极基极电压 (VEBO)

8 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

15

集电极-发射器电压-最大值

80 V

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

座位高度(最大)

--

辐射硬化

无