Microchip Jantxv2N3762L

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-5

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

900 mV

Maximum DC Collector Current

1.5 A

Pd - Power Dissipation

1 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

DC Current Gain hFE Max

120

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/396

配置

Single

功率 - 最大

1 W

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 1V

最大集极截止电流

100µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

连续集电极电流

1.5 A