Microchip JANTXV2N3879

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

7 A

Base Product Number

2N3879

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package Description

TO-66, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

40 MHz

Manufacturer Part Number

JANTXV2N3879

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.65

Part Package Code

TO-66

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/526

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

35 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/526E

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

35 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

35 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

75 V

最大集电极电流

7 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A, 5V

最大集极截止电流

25mA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 400mA, 4A

电压 - 集射极击穿（最大值）

75 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

120 V

最大耗散功率(Abs)

35 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

7 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

75 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无