Microchip JANTXV2N4261

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-72-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-72

房屋材料

Aluminum

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Outlets

(1) 120V Receptacle

Manufacturer Part Number

P-M11P1-K3R3-C7

Manufacturer

Grace Technologies

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Base Product Number

2N4261

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

2000 MHz

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Risk Rank

5.05

Part Package Code

TO-72

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/511

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/511

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10mA, 1V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-72

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

30

集电极-发射器电压-最大值

15 V

集电极-基极电容-最大值

2.5 pF

知识产权评级

IP65