JANTXV2N4854U详情
Microchip JANTXV2N4854U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
6
供应商器件包装
6-SMD
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Base Product Number
2N4854
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Schedule B
8541210080
Number of Elements
2
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-XDSO-N6
Package Style
小概要
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTXV2N4854U
Turn-on Time-Max (ton)
45 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)
300 ns
Risk Rank
1.78
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/421
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
600 mW
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
参考标准
MIL-19500/421G
JESD-30代码
R-XDSO-N6
资历状况
Qualified
极性
NPN, PNP
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率耗散
600 mW
功率 - 最大
600mW
极性/通道类型
NPN和PNP
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40 V
最大集电极电流
600 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 15mA, 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
40 V
辐射硬化
无
JANTXV2N4854U拓展信息








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