Microchip JANTXV2N5151U3

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

引脚数

3

供应商器件包装

U3

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/545

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

功率 - 最大

1.16 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无