Microchip JANTXV2N5153

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5.5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

2 A

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

70 MHz

Manufacturer Part Number

JANTXV2N5153

Turn-on Time-Max (ton)

500 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1500 ns

Risk Rank

5.17

Part Package Code

BCY

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

电压 - 供电

1.8V

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

66.66MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/545E

JESD-30代码

O-MBCY-W3

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

31mA

资历状况

Qualified

电流 - 电源（禁用）（最大值）

10µA

配置

Single

功率耗散

11.8

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

绝对牵引范围 (APR)

--

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

2

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

0.039 (1.00mm)

评级结果

--