Microchip JANTXV2N5303

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3

Manufacturer Part Number

ECGJH30027

Manufacturer

O-Z Gedney

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

60

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/456

包装

Tray

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

5 W

技术

Si

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

5 W

功率 - 最大

20 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

20 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 10A, 2V

最大集极截止电流

10µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

连续集电极电流

20 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无