JANTXV2N5660详情
Microchip JANTXV2N5660重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
供应商器件包装
TO-66 (TO-213AA)
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
Base Product Number
2N5660
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/454
包装
Bulk
子类别
Transistors
技术
Si
功率 - 最大
2 W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 500mA, 5V
最大集极截止电流
200nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
800mV @ 400mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
200 V
频率转换
-
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
JANTXV2N5660拓展信息








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