JANTXV2N5666U3详情
Microchip JANTXV2N5666U3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
U3
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
5 A
Base Product Number
2N5666
厂商
微芯片技术
Product Status
Discontinued at Digi-Key
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTXV2N5666U3
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.02
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/455
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
Transistors
技术
Si
Reach合规守则
not_compliant
配置
Single
功率 - 最大
1.2 W
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 1A, 5V
最大集极截止电流
200nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 1A, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
200 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
40
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
JANTXV2N5666U3拓展信息
Microchip Technology
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