Microchip JANTXV2N5672

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 A

Base Product Number

2N5672

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

6 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20

Collector-Emitter Saturation Voltage

5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

100

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

120 V

Package Description

TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Manufacturer Part Number

JANTXV2N5672

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.67

Part Package Code

TO-3

系列

*

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/488C

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

6 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 20A, 5V

最大集极截止电流

10mA

JEDEC-95代码

TO-204AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 6A, 30A

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

集电极电流-最大值(IC)

30 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

30 A

集电极-发射器电压-最大值

120 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT