JANTXV2N5794U详情
Microchip JANTXV2N5794U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
6-SMD
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Base Product Number
2N5794
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-XDSO-N6
Package Style
小概要
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTXV2N5794U
Turn-on Time-Max (ton)
45 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)
310 ns
Risk Rank
1.72
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/495
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
参考标准
MIL-19500/495D
JESD-30代码
R-XDSO-N6
资历状况
Qualified
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
600mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-78
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
900mV @ 30mA, 300mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
35
集电极-发射器电压-最大值
40 V
JANTXV2N5794U拓展信息
Microchip Technology
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