Microchip JANTXV2N6301

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-66

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

8 A

Base Product Number

2N6301

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-66, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

4 MHz

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6301

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.5

Part Package Code

TO-66

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

FNP

包装

Bulk

容差

±1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±1ppm/°C

类型

Shunt, Battery

电阻

1 mOhms

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

金属箔

应用

--

功率(瓦特)

500W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/539

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

75 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

8 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

最大集极截止电流

500µA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 80mA, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V

辐射硬化

无