Microchip JANTXV2N6308

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-257-3

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-257

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Current-Collector (Ic) (Max)

8 A

Base Product Number

2N6308

Package Description

TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6308

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.22

Part Package Code

TO-3

系列

-

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

125 W

技术

Standard

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/498D

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 480 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.6 V @ 8 A

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

125 W

工作温度 - 结点

-

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

600 V

平均整流电流（Io）

8A

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350 V

最大集电极电流

8 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

12 @ 3A, 5V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-204AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 2.67A, 8A

电容@Vr, F

200pF @ 5V, 1MHz

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

700 V

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

3

集电极-发射器电压-最大值

350 V

反向恢复时间(trr)

60 ns

产品类别

Bipolar Transistors - BJT