Microchip JANTXV2N6352

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6352

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-33

Package Description

TO-24, 3 PIN

Risk Rank

1.66

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/472

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/472B

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 5mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

1000

集电极-发射器电压-最大值

80 V