Microchip JANTXV2N6383

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

供应商器件包装

TO-204AA (TO-3)

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Base Product Number

2N6383

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/523

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

6 W

带宽

20 MHz

产品类别

达林顿晶体管

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 100mA, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

产品类别

达林顿晶体管