Microchip JANTXV2N930

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-18

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTXV2N930

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.23

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Transistor Polarity

NPN

RoHS

N

Brand

Microchip / Microsemi

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Base Product Number

2N930

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/253

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/253H

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

300 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10µA, 5V

最大集极截止电流

2nA

JEDEC-95代码

TO-206AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

150

连续集电极电流

30

集电极-发射器电压-最大值

45 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT