注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.715325
10
¥6.335216
100
¥5.97662
500
¥5.638319
1000
¥5.319167
LSM335GE3/TR13详情
Microchip LSM335GE3/TR13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-215AB, SMC Gull Wing
底架
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-215AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
HA2A-L1-W-ENGRAVED
Manufacturer
IDEC
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
LSM335
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Forward Voltage-Max (VF)
0.76 V
Risk Rank
5.75
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
有
应用
GENERAL PURPOSE
技术
Schottky
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G2
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
接收电极
反向泄漏电流@ Vr
1.5 mA @ 35 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
520 mV @ 3 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 150°C
输出电流-最大值
3 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
35 V
平均整流电流(Io)
3A
最大反向电压(DC)
35 V
平均整流电流
3 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
35 V
JEDEC-95代码
DO-215AB
电容@Vr, F
-
最大非代表Pk前进电流
150 A
反向电流-最大值
1500 µA
反向测试电压
35 V
辐射硬化
无
LSM335GE3/TR13拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。