Microchip M15KP110A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

NO

供应商器件包装

6-TSOP

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Base Product Number

SI3458

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Vishay Siliconix

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Product Status

Obsolete

Breakdown Voltage / V

122 V

Pd - Power Dissipation

6 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

84 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

15 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

M15KP110A

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.42

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

TrenchFET®

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

110 V

工作电压

110 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

122V

功率 - 脉冲峰值

15000W (15kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

84A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

178V

箝位电压

178 V

电压 - 反向断态（典型值）

110V

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 3.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA (Min)

单向通道

1

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

110 V

JEDEC-95代码

DO-204AR

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

15000 W

场效应管特性

-

击穿电压-最小值

122 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes