Microchip MAP5KE10AE3

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Voltage, Rating

150 V

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MAP5KE10AE3

Power Dissipation (Max)

1.19 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.72

容差

0.1 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

电阻

4.93 kΩ

端子表面处理

镀锡铜

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

额定功率

250 mW

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

IEC-61000-4-5

JESD-30代码

O-PALF-W2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

Rep Pk反向电压-最大值

10 V

JEDEC-95代码

DO-204AL

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

11.1 V

击穿电压-最大值

12.3 V

高度

650 µm