Microchip MAP6KE11A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

供应商器件包装

T-18

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

T-18

Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

P6KE11

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

PLASTIC, T-18, 2 PIN

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MAP6KE11A

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.5

Breakdown Voltage / V

10.5 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

38 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Usage Level

Military grade

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

电压 - 供电

2.8V

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

66.666MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

资历状况

不合格

工作电压

9.4 V

极性

UNIDIRECTIONAL

电流 - 电源（禁用）（最大值）

31mA

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

10.5V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

38A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

15.6V

箝位电压

15.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

9.4V

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

9.4 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

ESD保护

有

绝对牵引范围 (APR)

--

击穿电压-最小值

10.5 V

击穿电压-最大值

11.6 V

座位高度(最大)

0.039 (1.00mm)

评级结果

--