Microchip MAP6KE30AE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

T-18, Axial

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

T-18

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Reverse Stand-off Voltage

25.6 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

P6KE30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

28.5 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

14.4 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MAP6KE30AE3

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.51

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电压

25.6 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

28.5V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

14.4A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

41.4V

箝位电压

41.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

25.6V

峰值脉冲电流

14.4 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

25.6 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

28.5 V

击穿电压-最大值

31.5 V

最小击穿电压

28.5 V