Microchip MAPLAD30KP40CAE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Supplier Package

PLAD

Peak Pulse Power Dissipation

250 W

Mounting

表面贴装

Breakdown Voltage / V

44.4 V

Reverse Stand-off Voltage

40 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Ipp - Peak Pulse Current

468 A

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

30 kW

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MAPLAD30KP40CAE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.62

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

工作电压

40 V

极性

双向

配置

Single

通道数量

1

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

44.4V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

468A

最大反向漏电电流

10 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

64.5V

箝位电压

64.5 V

电压 - 反向断态（典型值）

40V

峰值脉冲电流

468 A

峰值脉冲功率

30 kW

方向

双向

测试电流

5 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

40 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

ESD保护

有

最大结点温度（Tj）

150 °C

击穿电压-最小值

44.4 V

双向通道数

1

击穿电压-最大值

49.1 V

最小击穿电压

44.4 V

高度

4.27 mm