Microchip MASMBG11A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-215AA, SMB Gull Wing

引脚数

2

供应商器件包装

SMBG (DO-215AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

MASMBG11A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-215AA

Package Description

R-PDSO-G2

Risk Rank

5.46

Breakdown Voltage-Nom

12.85 V

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reverse Stand-off Voltage

11 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

SMBG11

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

12.2 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

33 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

工作电压

11 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

12.2V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

33A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

18.2V

箝位电压

18.2 V

电压 - 反向断态（典型值）

11V

峰值脉冲电流

33 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

11 V

JEDEC-95代码

DO-215AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

12.2 V

最大箝位电压

18.2 V

击穿电压-最大值

13.5 V

最小击穿电压

12.2 V