Microchip MASMBG8.0CAE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

SMBG (DO-215AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

520

厂商

CTS-Frequency Controls

Product Status

活跃

Reverse Stand-off Voltage

8 V

RoHS

Compliant

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MASMBG8.0CAE3

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

9.36 V

Risk Rank

5.51

Part Package Code

DO-215AA

Breakdown Voltage / V

8.89 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

44.1 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

520

尺寸/尺寸

0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

TCXO

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

AVALANCHE

电压 - 供电

2.8V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

频率

27 MHz

频率稳定性

±1.5ppm

输出量

削波正弦波

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

功能

-

基本谐振器

Crystal

最大电流源

2.5mA

资历状况

不合格

工作电压

8 V

极性

BIDIRECTIONAL

电流 - 电源（禁用）（最大值）

-

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

扩频带宽

-

电压 - 击穿

8.89V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

44.1A

最大反向漏电电流

50 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

13.6V

箝位电压

13.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

8V

峰值脉冲电流

44.1 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

双向

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

8 V

JEDEC-95代码

DO-215AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

绝对牵引范围 (APR)

-

击穿电压-最小值

8.89 V

双向通道数

1

最大箝位电压

13.6 V

击穿电压-最大值

9.83 V

最小击穿电压

8.89 V

座位高度(最大)

0.039 (1.00mm)

评级结果

-