Microchip MLCE12A

包装/外壳

Axial

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

RNC55

厂商

Vishay Dale

Product Status

活跃

Cd - Diode Capacitance

100 pF

Breakdown Voltage / V

13.3 V

Pd - Power Dissipation

1.52 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

75 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package Description

PLASTIC, CASE 1, 2 PIN

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 1

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MLCE12A

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

13 V

Risk Rank

5.59

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

容差

±0.1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±50ppm/°C

类型

Zener

电阻

4.53 kOhms

端子表面处理

锡铅

组成

Metal Film

应用

通用型

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

12 V

工作电压

12 V

失败率

P (0.1%)

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

13.3V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

75A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

19.9V

箝位电压

19.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

12V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

12 V

电容@频率

100pF @ 1MHz

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

13.3 V

最大箝位电压

19.9 V

击穿电压-最大值

14.7 V

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

座位高度(最大)

-