Microchip MPLAD15KP22AE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Supplier Package

PLAD

Peak Pulse Power Dissipation

15000 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD15

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

24.4 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Ipp - Peak Pulse Current

423 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

15 kW

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MPLAD15KP22AE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

25.65 V

Risk Rank

5.58

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 150 °C

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PSSO-G1

资历状况

不合格

工作电压

22 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

24.4V

功率 - 脉冲峰值

15000W (15kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

423A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

35.5V

箝位电压

35.5 V

电压 - 反向断态（典型值）

22V

测试电流

5 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

22 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

15000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

24.4 V

最大箝位电压

35.5 V

击穿电压-最大值

26.9 V