Microchip MPLAD18KP11AE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

PLAD

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD18

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

12.2 V

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

989 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

18 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)

零件状态

活跃

类型

XO (Standard)

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

电压 - 供电

1.8V

频率

31.25MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

终端样式

SMD/SMT

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

31mA

工作电源电压

11 V

工作电压

11 V

极性

单向

电流 - 电源（禁用）（最大值）

30mA

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

12.2V

功率 - 脉冲峰值

18000W (18kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

989A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

18.2V

箝位电压

18.2 V

电压 - 反向断态（典型值）

11V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

绝对牵引范围 (APR)

--

Vf-正向电压

2 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

座位高度(最大)

0.032 (0.80mm)

评级结果

--