Microchip MPLAD30KP75CAE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Supplier Package

PLAD

Peak Pulse Power Dissipation

250 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

30 kW

Ipp - Peak Pulse Current

246 A

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Breakdown Voltage / V

83.3 V

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

87.7 V

Risk Rank

5.56

Number of Elements

1

Manufacturer

Microsemi Corporation

Package Shape

SQUARE

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Manufacturer Part Number

MPLAD30KP75CAE3

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 150 °C

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

工作电压

75 V

极性

双向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

83.3V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

246A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

121V

箝位电压

121 V

电压 - 反向断态（典型值）

75V

测试电流

5 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

75 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

83.3 V

最大箝位电压

121 V

击穿电压-最大值

92.1 V